| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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ON/安森美D2PAK3LEAD |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
10053 |
2105+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON SEMITO-263 |
2400 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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ONSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ONTO263 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT263 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiD2PAK-3(TO-263-3) |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ONTO-263 |
7800 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ONTO263 |
10579 |
19+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-263 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-263 |
5000 |
21+ |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ONTO-263 |
2980 |
2016+ |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ODPAK |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
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原厂原包 |
9999999 |
21+ |
原装正品现货/订货 价格优惠可开票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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ON/安森美SOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
NTB5采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTB5图片
NTB5605PT4G价格
NTB5605PT4G价格：￥2.9442品牌：ON
生产厂家品牌为ON的NTB5605PT4G多少钱，想知道NTB5605PT4G价格是多少？参考价：￥2.9442。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTB5605PT4G批发价格及采购报价，NTB5605PT4G销售排行榜及行情走势，NTB5605PT4G报价。
NTB5404NT4G资讯
NTB5605PT4G P沟道 MOSFET 18.5A60V TO-263 ON安森美
深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB5605PT4GP沟道MOSFET18.5A60VTO-263ON安森美
NTB5405NT4G N沟道 MOSFET 116A40V D2PAK (TO-263) ON安森美
深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB5405NT4GON116A40VN沟道MOSFETTO-263
NTB5411NT4G N沟道 MOSFET TO263 60V 45A ON安森美
深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB5411NT4GTO26360V45A
NTB5404NT4G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB52N10功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB52N10G功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB52N10T4功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB52N10T4G功能描述:MOSFET 100V 52A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5404N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N−Channel, D2PAK & TO−220
NTB5404NT4G功能描述:MOSFET NFET 40V 129A 5O RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5405N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N−Channel, D2PAK
NTB5405NG功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5405NT4G功能描述:MOSFET NFET 40V 116A PB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB5411N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 80 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220
