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NTB18N06LG	文件：91.32 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET15Amps,60Volts,LogicLevel N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD18N06L	文件：334.95 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NTD18N06LG	文件：897.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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更多NTB18N06LTA供应商更新时间2024-6-17 16:00:00

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