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NTA4151P	文件：72.26 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9 文件：72.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4151P	文件：76.46 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 文件：76.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4151P	文件：1.50934 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.50934 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
NTA4151P	文件：176.33 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 文件：176.33 Kbytes 页数：6 Pages	ZHAOXINGWEI	ZHAOXINGWEI
NTA4151P_14	文件：76.46 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 文件：76.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4151PT1	文件：72.26 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9 文件：72.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4151PT1G	文件：72.26 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET ??0 V, ??60 mA, Single P?묬hannel, Gate Zener, SC??5, SC??9 文件：72.26 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4151PT1G	文件：76.46 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 文件：76.46 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4151P	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，门极齐纳，小信号 MOSFET，-20V，-760mA，360mΩ Small Signal MOSFET -20 V, -540 mA, Single P-Channel, Gate Zener, SC-75 and SC-89 • Low RDS(on) for Higher Efficiency and Longer Battery Life\n• Small Outline Package (1.6 x 1.6 mm)\n• ESD Protected Gate\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
6
ID Max (A)：
0.8
PD Max (W)：
0.301
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
350
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
260
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
2.1
Ciss Typ (pF)：
156
Package Type：
SC-75-3

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更多NTA4151P供应商更新时间2025-10-4 15:15:00

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