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NSS60600MZ4T1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

NSS60600MZ4T1G
厂商型号

NSS60600MZ4T1G

参数属性

NSS60600MZ4T1G 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 6A SOT223

功能描述

60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
TRANS PNP 60V 6A SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

87.27 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-11 10:26:00

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NSS60600MZ4T1G规格书详情

NSS60600MZ4T1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的NSS60600MZ4T1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

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  • 产品编号:

    NSS60600MZ4T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 600mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 6A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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