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NSS60100DMT	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	60 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistors 文件：117.77 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60100DMTTBG	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	60 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistors 文件：117.77 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSS60100DMT	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 60 V，1 A，低 VCE(sat) PNP 双极晶体管，WDFN6 封装 ON Semiconductor’s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed witching applications where affordable efficient energy cont • Continuous Collector Current(IC) = -1 APeak Collector Current (ICM) = -2 A\n• High Robustness\n• Low VCE(sat): -200 mV @ IC = -1 A, IB = -100 mA (Beta: IC/IB = 10)\n• High Energy Efficiency\n• hFE of 140 @ IC = -1 A, VCE = -2 V\n• High Gain Amplification\n• NSV60100DMTWTBG - Wettable Flanks Packag;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSV60100DMTWTBG	文件：117.77 Kbytes Page：6 Pages	60 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistors 文件：117.77 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSB60100CTG	文件：137.2 Kbytes Page：9 Pages	Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：137.2 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTSJ60100CTG	文件：137.2 Kbytes Page：9 Pages	Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：137.2 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
Dual PNP
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.3
IC Cont. (A)：
1
VCEO Min (V)：
60
VCBO (V)：
80
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
1.1
VBE(on) (V)：
0.9
hFE Min：
90
fT Min (MHz)：
155
PTM Max (W)：
1.8
Package Type：
WDFN-6

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