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NSS1C300E

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc Silicon PNP Power Transistor

文件:317.71 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NSS1C300ET4G

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:119.07 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C300ET4G

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:82.59 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C300ET4G_15

100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor

文件:82.59 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C300E

3 A,100 V 低 VCE(sat) PNP 晶体管

• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NSS1C300ET4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    PNP

  • Type:

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V):

    0.4

  • IC Cont. (A):

    3

  • VCEO Min (V):

    100

  • VCBO (V):

    140

  • VEBO (V):

    6

  • VBE(sat) (V):

    1

  • VBE(on) (V):

    0.9

  • hFE Min:

    120

  • hFE Max:

    360

  • PTM Max (W):

    12.5

  • Package Type:

    DPAK-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NSS1C300E供应商 更新时间2025-10-5 15:08:00