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NRVBA340	文件：204.03 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity diod 文件：204.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340N	文件：204.03 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity diod 文件：204.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340NT3G	文件：204.03 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity diod 文件：204.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340T3G	文件：204.03 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity diod 文件：204.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340T3G-VF01	文件：204.03 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity diod 文件：204.03 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340T3G	文件：111.04 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：111.04 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340T3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340NT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 3A 40V 1201 SMA2	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NRVBA340T3G-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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