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GT50J121	文件：190.73 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT50J121	文件：317.63 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) •Highspeed:tf=0.05μs(typ.) •Lowswitchingloss:Eon=1.30mJ(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
GT50J121	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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