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NP90N04NUK-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ●Superlowon-stateresistance RDS(on)=2.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ●LowCiss:Ciss=4700pFTYP.(VDS=25V) ●Designedforautomotiveapplication

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多NP90N04NUK-S18-AY供应商 更新时间2024-4-24 13:58:00