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NP90N03VHG-E1-AY	文件：227.4 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP90N03VHG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 3.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) • Low input capacitance ⎯ Ciss = 5000 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for 文件：227.4 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP90N03VHG-E1-AY	文件：1.00251 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：1.00251 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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更多NP90N03VHG-E1供应商更新时间2025-11-2 9:01:00