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NP80N04MDG-S18-AY中文资料PDF规格书

NP80N04MDG-S18-AY
厂商型号

NP80N04MDG-S18-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

357.34 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-24 18:30:00

NP80N04MDG-S18-AY规格书详情

DESCRIPTION

The NP80N04MDG, NP80N04NDG, and NP80N04PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Logic level

• Super low on-state resistance

- NP80N04MDG, NP80N04NDG

RDS(on)1 = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

- NP80N04PDG

RDS(on)1 = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 8.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

• High current rating

ID(DC) = ±80 A

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

产品属性

  • 型号:

    NP80N04MDG-S18-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 40V 80A Tube

  • 功能描述:

    SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO220 - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
TO220
6000
诚信服务,绝对原装原盘
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
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NEC
6000
面议
19
TO-220AB
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RENESAS/瑞萨
33000
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NEC
23+
TO-220
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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TO220
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RENESAS-瑞萨
24+25+/26+27+
TO-220-3
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NEC
08+(pbfree)
TO-220AB
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23+
TOTO-220
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