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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=5V,ID=2 | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=5V,ID=24A) RDS(on)3=24mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=24A) •Lowinputcapacitance Ciss=1970 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
详细参数
- 型号:
NP48N055KLE-E1
- 功能描述:
MOSFET N-CH 55V 48A TO-263
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas |
23+ |
TO-263 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
Renesas Electronics America In |
2022+ |
- |
6680 |
原厂原装,欢迎咨询 |
询价 | ||
Renesas |
22+ |
- |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
45780 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
TO-220 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
isc |
2024 |
TO-220 |
300 |
国产品牌isc,可替代原装 |
询价 |
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