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NP36P06KDG-E1-AY	文件：187.39 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A) RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A) • Low input capacitance 文件：187.39 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP36P06KDG-E1-AYNote	文件：297.38 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：297.38 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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nP3750PBC-700	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	AMCC Applied Micro Circuits Corporation 上传：深圳市昂芯微科技有限公司	AMCC
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更多NP36P06KDG-E1供应商更新时间2025-11-3 11:06:00