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NNCD5.6F	文件：40.17 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATIC DISCHARGE NOISE CLIPPING DIODES DOUBLE TYPE, ANODE COMMON 3PIN MINI MOLD ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(DOUBLETYPE,ANODECOMMON) 3PINMINIMOLD ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceofno	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD5.6G	文件：41.98 Kbytes Page：8 Pages	ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5PINMINIMOLD ELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(QUARTOTYPE:COMMONANODE) 5PINMINIMOLD ThisproductseriesisadiodedevelopedforE.S.D(ElectrostaticDischarge)noiseprotection.BasedontheIEC1000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanenduranceof	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD5.6H	文件：40.88 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODE(QUADTYPE:COMMONANODE)5-PINSUPERSMALLMINIMOLD DESCRIPTION ThisproductseriesisalowcapacitancetypediodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC-61000-4-2testonelectromagneticinter	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD5.6J	文件：113.87 Kbytes Page：5 Pages	ESDNOISECLIPPINGDIODE DESCRIPTION TheseproductsareadiodedevelopedforESD(ElectrostaticDischarge)absorption.BasedontheIEC-61000-4-2testonelectromagneticinterference(EMI),thediodeassuresanendurance,thusmakingitselfmostsuitableforexternalinterfacecircuitprotection.Theseproductsareca	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD5.6LG	文件：49.3 Kbytes Page：8 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINMINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD5.6LH	文件：49.45 Kbytes Page：8 Pages	LOWCAPACITANCETYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES(QUARTOTYPE:COMMONANODE)5-PINSUPERSMALLMINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NNCD5.6MG	文件：35.49 Kbytes Page：4 Pages	LOWCAPACITANCEHIGHESDTYPEELECTROSTATICDISCHARGENOISECLIPPINGDIODES5-PINMINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PDZ5.6B	文件：63.16 Kbytes Page：8 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powergeneralpurposevoltageregulatordiodesinasmallplasticSMDSOD323package. FEATURES •Totalpowerdissipation: max.400mW •Smallplasticpackagesuitablefor surfacemounteddesign •Widevarietyofvoltageranges: nom.2.4to36V(E24range).	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PDZ5.6B	文件：117.54 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE4.7to36VoltsPOWER400mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •400mWPowerDissipation •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PDZ5.6B	文件：294.89 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
NNCD5.6F
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Diode Zener Dual Common Anode 5.615V 5% 200mW 3-Pin SC-59 T/R Cut Tape

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NNCD5.6F供应商更新时间2025-7-23 17:24:00

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