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APT12060LVFR	文件：328.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT12060LVFR	文件：121.63 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT12060LVR	文件：39.28 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Iden	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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深圳市安富世纪电子有限公司	NN12060A-VB	Panasonic	21+	QFN	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多NN12060A-VB供应商更新时间2024-6-19 11:04:00

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