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NMSD200B01-7	文件：177.65 Kbytes Page：8 Pages	200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE GeneralDescription •NMSD200B01isbestsuitedforswitchingvoltageregulatorandpowermanagementapplications.ItimprovesefficiencyandreliabilityofDC-DCcontrollersusedinVoltageRegulatorModules(VRM)andcansupportcontinuousmaximumcurrentof200mA.ItfeaturesanESDprotected	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
LMN200B01-7	文件：570.61 Kbytes Page：10 Pages	200mALOADSWITCHFEATURINGPRE-BIASEDPNPTRANSISTORANDN-MOSFETWITHPULLDOWNRESISTOR GeneralDescription •LMN200B01isbestsuitedforapplicationswheretheloadneedstobeturnedonandoffusingcontrolcircuitslikemicro-controllers,comparators,etc.,particularlyatapointofload.ItfeaturesadiscretepasstransistorwithstableVCE(SAT)whichdoesnotdependonthe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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NMSD200B01-7

文件：177.65 Kbytes

Page：8 Pages

200 mA SYNCHRONOUS RECTIFIER FEATURING N-MOSFET AND SCHOTTKY DIODE

GeneralDescription •NMSD200B01isbestsuitedforswitchingvoltageregulatorandpowermanagementapplications.ItimprovesefficiencyandreliabilityofDC-DCcontrollersusedinVoltageRegulatorModules(VRM)andcansupportcontinuousmaximumcurrentof200mA.ItfeaturesanESDprotected

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

LMN200B01-7

文件：570.61 Kbytes

Page：10 Pages

200mALOADSWITCHFEATURINGPRE-BIASEDPNPTRANSISTORANDN-MOSFETWITHPULLDOWNRESISTOR

GeneralDescription •LMN200B01isbestsuitedforapplicationswheretheloadneedstobeturnedonandoffusingcontrolcircuitslikemicro-controllers,comparators,etc.,particularlyatapointofload.ItfeaturesadiscretepasstransistorwithstableVCE(SAT)whichdoesnotdependonthe

DIODESDiodes Incorporated

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DIODES

详细参数

型号：
NMSD200B01-7
功能描述：
MOSFET ARRAY N-MOSFET AND SCHTKY DIO SOT-363
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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