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NOA2301	文件：171.88 Kbytes Page：19 Pages	DigitalProximitySensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NOA2301CUTAG	文件：172.61 Kbytes Page：19 Pages	DigitalProximitySensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NOA2301W	文件：198.64 Kbytes Page：19 Pages	DigitalProximitySensor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE2301	文件：22.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorHighVoltageHorizontalOutput Description: TheNTE2301isasiliconNPNpowertransistorinaTO218typepackagedesignedforuseinlargescreendeflectioncircuits. Features: •Collector–EmitterVoltage:VCEX=1500V •GlassivatedBase–CollectorJunction •SafeOperatingArea@50µs=20A,400V •Switchin	NTE NTE Electronics	NTE
NUP2301	文件：216.85 Kbytes Page：2 Pages	Lowcap.diodearrayfor2LineHighSpeedUSBprotectiondevic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NX2301P	文件：370.25 Kbytes Page：16 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX2301P	文件：318.47 Kbytes Page：3 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
NX2301P	文件：916.49 Kbytes Page：16 Pages	20V,2AP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits 1.8VRDSonratedforLowVoltageGateDrive Veryfastswitching TrenchMOSF	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX2301P	文件：476.29 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	NK2301稳压(齐纳)二极管	NK	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多NK2301HA供应商更新时间2024-9-22 11:09:00

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