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P122	文件：82.66 Kbytes Page：7 Pages	PASSIVATEDASSEMBLEDCIRCUITELEMENTS Description TheP100seriesofIntegratedPowerCircuitsconsistsofpowerthyristorsandpowerdiodesconfiguredinasinglepackage.Withitsisolatingbaseplate,mechanicaldesignsaregreatlysimplifiedgivingadvantagesofcostreductionandreducedsize. Applicationsincludepowersuppli	IRF International Rectifier	IRF
P122	文件：43.64 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALLIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications. SuitableforMilitryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeatureslowfeedbackandoutputcapacitancesres	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
P122	文件：179.52 Kbytes Page：6 Pages	PassivatedAssembledCircuitElements,25A DESCRIPTION TheP100seriesofintegratedpowercircuitsconsistsofpowerthyristorsandpowerdiodesconfiguredinasinglepackage.Withitsisolatingbaseplate,mechanicaldesignsaregreatlysimplifiedgivingadvantagesofcostreductionandreducedsize. Applicationsincludepowersupplie	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
P122	文件：50.87 Kbytes Page：2 Pages	Highreliability,solidstatesiliconpressuresensors TheP122piezoresistivepressuresensorsareofferedinaminiature0.10inx0.10in(2.5mmx2.5mm)die.Whenexcitedwith1.0mA,theP122producesamillivoltoutputthatisproportionaltoinputpressure.TheP122isavailableasanabsolutepressuresensorwherethemediapressureisrefer	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
P122K	文件：82.66 Kbytes Page：7 Pages	PASSIVATEDASSEMBLEDCIRCUITELEMENTS Description TheP100seriesofIntegratedPowerCircuitsconsistsofpowerthyristorsandpowerdiodesconfiguredinasinglepackage.Withitsisolatingbaseplate,mechanicaldesignsaregreatlysimplifiedgivingadvantagesofcostreductionandreducedsize. Applicationsincludepowersuppli	IRF International Rectifier	IRF
PA122	文件：3.41417 Mbytes Page：1 Pages	CeramicBased3-in-1LightSeneor	TXCTXC Corporation. 台湾晶技	TXC
PA122A	文件：183.89 Kbytes Page：2 Pages	Powersupply0in/0out Briefdescription Idealforusewithantennadeviceslike amplifiers,multiswitches,incommunications, industrialautomationetc.	EMP-CENTAURI EMP-Centauri s.r.o.	EMP-CENTAURI
PDB-C122	文件：96.28 Kbytes Page：1 Pages	BlueEnhancedPhotoconductiveSiliconPhotodiode	ADVANCEDPHOTONIX Advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
PDB-C122	文件：199.84 Kbytes Page：2 Pages	BlueEnhancedPhotoconductiveSiliconPhotodiode	LUNA Luna Innovations Incorporated	LUNA
PFS122	文件：1.94673 Mbytes Page：93 Pages	8bitMTPTypeMCUwith12-bitR-TypeADC	PADAUKPADAUK Technology. 应广科技	PADAUK

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详细参数

型号：
NJVMJD122
功能描述：
达林顿晶体管 BIP DPAK NPN 8A 100V TR
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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