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NIS5112D2R2G	文件：447.89 Kbytes Page：9 Pages	Electronic Fuse Features • Integrated Power Device • Power Device Thermally Protected • No External Current Shunt Required • Enable/Timer Pin • Adjustable Slew Rate for Output Voltage • 9 V to 18 V Input Range • 30 m Typical • Internal Charge Pump • ESD Ratings: Human Body Model (HBM); 4000 V • These a 文件：447.89 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NIS5112D2R2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带功能：电子保险丝类别：集成电路（IC）电流调节/管理描述：IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NIS5112D2R供应商更新时间2017-12-11 15:29:00