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NGTD23T120F2SWK	文件：95 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Die	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTD23T120F2SWK	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：模具类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTD23T120F2	文件：95 Kbytes Page：3 Pages	IGBTDie	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTD23T120F2WP	文件：95 Kbytes Page：3 Pages	IGBTDie	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
NGTD23T120F2SWK
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，25A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NGTD23T120F2SWK供应商更新时间2024-5-29 9:31:00

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