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NE856M13中文资料CEL数据手册PDF规格书

NE856M13
厂商型号

NE856M13

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

文件大小

23.25 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-9-24 22:30:00

产品属性

  • 型号:

    NE856M13

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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