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NE856M13

NPNSILICONTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE856M13transistorisdesignedforlowcostamplifierandoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhighcurrentcapabilityequatetowidedynamicrangeandexcellentlinearity.NECsnewlowprofile/flatleadstyleM13packageisidealfortodaysportablewireless

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NE856M13

NPNSILICONTRANSISTOR

CEL

California Eastern Laboratories

详细参数

  • 型号:

    NE856M13-A

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

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更多NE856M13-A供应商 更新时间2024-5-24 14:55:00