NE6501077资料使用说明书供应代理瑞萨NEC-114ic电子网

首页 >NE65010>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NE650103M	文件：230.89 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL GaAs MES FET 10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and low distortion. Reli 文件：230.89 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE650103M-A	文件：230.89 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL GaAs MES FET 10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and low distortion. Reli 文件：230.89 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE6501077	文件：196.44 Kbytes Page：8 Pages	GaAs MES FET 10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET DESCRIPTION The NE6501077 is power GaAs FET which provides high gain, high efficiency and high output power in L, S band. To reduce thermal resistance, the device has a PHS (Plated Heat Sink) structure. FEATURES • Class A operation • H 文件：196.44 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE6501077	文件：37.74 Kbytes Page：6 Pages	10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：37.74 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NE6501077_00	文件：32.119 Kbytes Page：2 Pages	L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET DESCRIPTION The NE6501077 is a medium power GaAs MESFET designed for up to a 10 W output stage or as a driver for high power devices. The device has no internal matching and can be used from UHF frequencies up to 3.0 GHz. The chips used in this series offer superior reliability and consistent per 文件：32.119 Kbytes 页数：2 Pages	CEL	CEL
NE650103M	文件：259.51 Kbytes Page：7 Pages	10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET 文件：259.51 Kbytes 页数：7 Pages	CEL	CEL
NE650103M-A	文件：259.51 Kbytes Page：7 Pages	10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET 文件：259.51 Kbytes 页数：7 Pages	CEL	CEL
NE6501077	文件：32.95 Kbytes Page：2 Pages	L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET 文件：32.95 Kbytes 页数：2 Pages	CEL	CEL
NE650103M	文件：300 bytes Page：1 Pages	NECS 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET	CEL	CEL
NE6501077	文件：300 bytes Page：1 Pages	10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
NE65010
功能描述：
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	NE6501077	NEC	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
上海金庆电子技术有限公司	NE6501077	NEC	新		7	全新原装货期两周	询价
深圳市近平电子有限公司	NE6501077	NEC	95+		6000	绝对原装自己现货	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	NE6501077	NEC	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	NE6501077	NEC	1923+	原厂封装	8600	莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多	询价
深圳市中拓海外电子有限公司	NE6501077	NEC	2023+		268		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NE6501077	NEC	23+	SMD	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NE6501077	NEC	21+	SMD	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NE6501077	NEC	24+	NA/	67	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市富诚威科技有限公司	NE650N	PHI	25+	QFP-100	3378	绝对原装公司现货供应!价格优势	询价

更多NE65010供应商更新时间2025-10-30 10:31:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号