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NE3516S02	文件：152.78 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3516S02	文件：333.21 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3516S02_15	文件：152.78 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NE3516S02-T1C-A	文件：152.78 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE3516S02-T1D	文件：152.78 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
NE3516S02
制造商：
California Eastern Laboratories(CEL)
功能描述：
SUPER LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET, ROHS COMPLIANT - Product that comes on tape, but is not reeled
功能描述：
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	NE3516S02	LSSJ	1736+	.	8298	只做进口原装正品假一赔十!	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NE3517S03	SMT-86	23+	RENESAS	26000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NE3517S03-A	原厂正品	23+	SMT	5000	原装正品,假一罚十	询价
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更多NE3516S02供应商更新时间2025-7-26 16:19:00

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