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NE3514S02-T1C-A

RENESAS/瑞萨SMT86

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深圳市亿联芯电子科技有限公司

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NE3514S02-T1C-A

RENESAS/瑞萨SMT86

6000

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一级代理优势现货,全新正品直营店

深圳市科芯源微电子有限公司

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RENESAS/瑞萨SMT-86

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万三科技(深圳)有限公司

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Renesas(瑞萨)封装

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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RENESAS/瑞萨SMT86

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市诺美思科技有限公司

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NE3514S02-T1C-A

RENESAS原厂封装

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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RENESAS/瑞萨NA/

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深圳市宇创芯科技有限公司

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NE3514S02-T1C-A

RENESASSMT86

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深圳市凌旭科技有限公司

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只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!

深圳市明嘉莱科技有限公司

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RENESAS/瑞萨SMT86

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市威雅利发展有限公司

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RENESAS/瑞萨SMT-86

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深圳深宇韬电子科技有限公司

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RENESAS/瑞萨SMT-86

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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

深圳市博中泰实业有限公司

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RENESAS/瑞萨SMT-86

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深圳市利芯伟业科技有限公司

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RENESASSMT86

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进口原装现货,假一赔十

深圳市安富世纪电子有限公司

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市盈慧通电子有限公司

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RENESASSMT86

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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市威尔健半导体有限公司

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NE3514S02-T1C-A

RENESAS/瑞萨SMT86

6000

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深圳市威尔健半导体有限公司

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RENESAS/瑞萨SMT86

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全新原装正品现货,支持订货

京海半导体(深圳)有限公司

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NE3514S02-T1C-A

RENESAS/瑞萨SMT-86

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原装现货假一罚十

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RENESAS/瑞萨SMT86

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NE3514S02-T1C-A功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

产品属性

  • 产品编号：

    NE3514S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 晶体管类型：

    HFET

  • 频率：

    20GHz

  • 增益：

    10dB

  • 额定电流（安培）：

    70mA

  • 噪声系数：

    0.75dB

  • 封装/外壳：

    4-SMD，扁平引线

  • 供应商器件封装：

    S02

  • 描述：

    HJ-FET NCH 10DB S02

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