NE3511S02中文资料X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET数据手册CEL规格书
| 厂商型号 |
NE3511S02 |
| 参数属性 | NE3511S02 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LNA 13.5DB S02 |
| 功能描述 | X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-2 14:26:00 |
| 人工找货 | NE3511S02价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3511S02规格书详情
简介
NE3511S02属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由CEL制造生产的NE3511S02晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
NE3511S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.3dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
24+ |
原厂原封 |
2500 |
原装正品 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
T0-50 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
NEC |
20+ |
SMT |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SMT |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
NEC |
13+ |
SMT4 |
21000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
S02 |
311 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
SMT4 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SMT-86 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SMT84 |
26000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
63000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
