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NDS7002	文件：538.2 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description TheseN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanbeused	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS7002A	文件：538.2 Kbytes Page：14 Pages	Marking：712；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description TheseN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanbeused	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS7002A	文件：803.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package Descriptions N-CHANNELMOSFETinaSOT-23PlasticPackage. Features SensitivegatetriggercurrentandLowHoldingcurrent. Applications Intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
NDS7002A	文件：116.2 Kbytes Page：7 Pages	Marking：712；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description TheseN-channelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanbeused	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS7002A	文件：1.02199 Mbytes Page：3 Pages	Marking：7002；Package：SOT23；60V N-Channel Mosfet Application Directlogic-levelinterface:TTL/CMOS Drivers:relays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,etc. Batteryoperatedsystems Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NDS7002A	文件：372.34 Kbytes Page：13 Pages	Marking：712；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Description TheseN−channelenhancementmodefieldeffecttransistorsare producedusingonsemi’sproprietary,highcelldensity,DMOS technology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon−state resistancewhileprovidingrugged,reliable,andfastswitching performance.Theseproducts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDS7002A	文件：220.09 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
NDS7002
功能描述：
MOSFET SOT-23 N-CH ENHANCE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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