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NDS352AP-NL	文件：1.047849 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS352AP-NL	文件：1.047849 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS352P	文件：78.91 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS352P	文件：465.24 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP352	文件：198.67 Kbytes Page：2 Pages	1/2PRESS-FITSTRAIGHTLEADDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
NSVA352	文件：198.96 Kbytes Page：7 Pages	JRCSAWFILTER	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTE352	文件：20.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsDigitalw/2Built-InBias47kResistors(SurfaceMount) Description: TheNTE352isasiliconNPNtransistorinaW65typepackagedesignedprimarilyforusein12.5VVHFlarge–signalpoweramplifierapplicationsrequiredincommercialandindustrialFMequipmentto175MHz. Features: ●Specified12.5V,175MHzCharacteristics: OutputPower=75W	NTE NTE Electronics	NTE
NYS352	文件：219.22 Kbytes Page：3 Pages	Heavydutyphonoplug,cableclamp	REAN rean	REAN
NYS352AG	文件：219.22 Kbytes Page：3 Pages	Heavydutyphonoplug,cableclamp	REAN rean	REAN
NYS352B	文件：219.22 Kbytes Page：3 Pages	Heavydutyphonoplug,cableclamp	REAN rean	REAN

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