选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
标准国际(香港)有限公司16年
留言
|
5 |
9536+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
||||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
onsemi(安森美)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
|
FSCTO-220 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
FAIRCHILDTO-220 |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
NSTO-220 |
20000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
|
NSSOT23-5 |
18000 |
23+ |
||||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
NS/国半NA/ |
990 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
|
NS/国半TO-220 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
NS/国半TO-220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
FAIRCHTO-220 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
FTO220AB |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
NS/国半TO-220 |
990 |
98+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
ONTO-220 |
35890 |
23+ |
||||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
FairchildTO-220AB |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
深圳市近平电子有限公司8年
留言
|
NS面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
3000 |
公司存货 |
|||||
|
深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
|
FSC/NSTO-220 |
6200 |
17+ |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
NS/国半 |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
NDP705采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NDP705图片
NDP705AE中文资料Alldatasheet PDF
更多NDP7050功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP7050_Q功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP7050L功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP7050L_Q功能描述:MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDP7051制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7051L制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7052制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7052L制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor