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SMBF5355B	文件：611.111 Kbytes Page：2 Pages	5W18VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SMBG5355B	文件：242.33 Kbytes Page：3 Pages	5WattSurfaceMountSiliconZenerDiodes 5WattSurfaceMountSiliconZenerDiodes Features ·Lowprofilepackageforsurfacemounting(flathandlingsurfaceforaccurateplacement) ·ZenerVoltage3.3Vto200V ·HighSurgeCurrentCapability ·Foravailabletolerances–seenote1 ·AvailableonTapeandReel(s	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SMBG5355B	文件：1.2353 Mbytes Page：4 Pages	5WattSurfaceMountSiliconZenerDiodes Features •Lowprofilepackageforsurfacemounting(flathandlingsurfaceforaccurateplacement) •ZenerVoltage3.3Vto200V •HighSurgeCurrentCapability •Foravailabletolerances-seenote1 •AvailableonTapeandReel(seeEIAstdRS-481)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SMBJ5355A	文件：377.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
SMBJ5355A	文件：40.54 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SMBJ5355A	文件：1.77194 Mbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
SMBJ5355A	文件：1.13921 Mbytes Page：4 Pages	5WSurfaceMountSiliconZenerDiodes	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
SMBJ5355B	文件：265.17 Kbytes Page：5 Pages	5WattSurfaceMountSiliconZenerDiode5.1to200Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SMBJ5355B	文件：367.73 Kbytes Page：5 Pages	5WattSurfaceMountSiliconZenerDiode5.1to200Volts Features xLowProfilePackageforSurfaceMountiong(FlatHandlingSurfaceforAccuratePlacement) xZenerVoltage5.1Vto200V xHighSurgeCurrentCapability xForAvailableTolerances-seeNote1 xAvailableonTapeandReel(seeE1AstdRS-481) xLeadFreeFinish/RohsCompl	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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产品属性

产品编号：
NCP5355D
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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