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SMB5355	文件：162.78 Kbytes Page：2 Pages	5WSURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
SMB5355A	文件：520.299 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSiliconZenerDiodes	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SMB5355B	文件：1.69588 Mbytes Page：5 Pages	SMBKPlastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
SMB5355B	文件：511.685 Kbytes Page：2 Pages	5W18VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SMB5355B	文件：505.16 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES Features ●Lowleakagecurrent ●Highreliability ●Highpeakreversepowerdissipation ●CompleteVoltageRange3.3to200Volts	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SMB5355B	文件：458.9 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTZENERTYPE SURFACEMOUNTZENERDIODES5.0WATTS FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipat ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
SMB5355B	文件：52.15 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERSPECIALISTS FEATURES VoltageRange:6.2Vto200V Build-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance Excellentclampingcapability Lowprofilepackage	DCCOM Dc Components	DCCOM
SMB5355B	文件：246.54 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA
SMB5355B	文件：519.409 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES Features Lowleakagecurrent Highreliability Highpeakreversepowerdissipation CompleteVoltageRange3.3to200Volts	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
SMB5355B	文件：244.73 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes Features ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating ●RoHScompliant	ANOVAAnova Technologies CO., LTD. 林朋科技林朋科技股份有限公司	ANOVA

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产品属性

产品编号：
NCP5355D
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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