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NCP5304PG	文件：138.58 Kbytes Page：15 Pages	High Voltage, High and Low Side Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP5304PG	文件：115.02 Kbytes Page：16 Pages	High Voltage, High and Low Side Driver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCP5304PG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE5304	文件：17.33 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifier,1.5A Features: ●HighReverseVoltageto1000V ●SurgeOverloadRatingsto50A(Peak) ●GoodforPCBoardAssembly	NTE NTE Electronics	NTE
NX5304	文件：277.45 Kbytes Page：13 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5304Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredFabry-Perot(FP)laserdiodeswithInGaAsmonitorPIN-PD.These devicesaredesignedfor156Mb/s:STM-1(I-1,S-1.1,L-1.1),622Mb/s:ST	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX5304	文件：165.24 Kbytes Page：5 Pages	NECs1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEINCANPACKAGE DESCRIPTION NECsNX5304Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodeswithInGaAsmonitorPIN-PD.Thesedevicesaredesignedfor156Mb/s:STM-1(I-1,S-1.1,L-1.1),622Mb/s:STM-4(I-4,S-4.1)applicationandidealforSynchronousDigitalHierarchy(S	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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NX5304EH	文件：167.25 Kbytes Page：5 Pages	NECs1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/s,622Mb/sAND1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX5304EH	文件：165.24 Kbytes Page：5 Pages	NECs1310nmInGaAsPMQW-FPLASERDIODEINCANPACKAGE DESCRIPTION NECsNX5304Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodeswithInGaAsmonitorPIN-PD.Thesedevicesaredesignedfor156Mb/s:STM-1(I-1,S-1.1,L-1.1),622Mb/s:STM-4(I-4,S-4.1)applicationandidealforSynchronousDigitalHierarchy(S	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NX5304EH	文件：277.45 Kbytes Page：13 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5304Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredFabry-Perot(FP)laserdiodeswithInGaAsmonitorPIN-PD.These devicesaredesignedfor156Mb/s:STM-1(I-1,S-1.1,L-1.1),622Mb/s:ST	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

产品属性

产品编号：
NCP5304PG
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
85ns，35ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

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