| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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ONSOP |
7500 |
23+ |
深圳市拓亿芯电子长期备货优势库存 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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ON/安森美SOIC-8 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOP-8 |
50000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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ON/安森美8-SOIC |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市智亦芯科技有限公司2年
留言
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ON/安森美SOP8 |
20000 |
22+ |
只有原装-力争实单 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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ON/安森美SOP-8 |
6603 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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ONSOP8 |
2500 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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ON/安森美SOP8 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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ON/安森美SOP8 |
18990 |
2122+ |
原装正品,假一赔十,价格优势 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ONSOP-8 |
16984 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOIC-8 |
14548 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOIC-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ONSOIC-8 |
15000 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOIC-8 |
18816 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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ONSOIC-8 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONSemiSOIC-8 |
15000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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onsemi/安森美原装封装 |
360000 |
22+ |
品质保证,信誉至上 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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OnsemiSOP-8 |
5001 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十。 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
447285 |
23+ |
原装原装原装哈 |
NCP5106BDR2G采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NCP5106BDR2G图片
NCP5106BDR2G价格
NCP5106BDR2G价格：￥2.5576品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NCP5106BDR2G多少钱，想知道NCP5106BDR2G价格是多少？参考价：￥2.5576。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NCP5106BDR2G批发价格及采购报价，NCP5106BDR2G销售排行榜及行情走势，NCP5106BDR2G报价。
NCP5106BDR2G中文资料Alldatasheet PDF
更多NCP5106BDR2G功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
NCP5106BDR2G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.3V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
85ns，35ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
