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NCEP85T25	文件：371.44 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：371.44 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCEP85T25	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-250V N-Channel SGT-I MOSFET The NCEP85T25 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching • VDS =85V,ID =250ARDS(ON) <2.8mΩ @ VGS=10V• Excellent gate charge x RDS(on) product• Very low on-resistance RDS(on)• 175 °C operating temperature• Pb-free lead plating• 100% UIS tested;	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCEP85T25D	文件：321.01 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：321.01 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCEP85T25T	文件：323.05 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：323.05 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCEP85T25T	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-250V N-Channel SGT-I MOSFET The NCEP85T25Tuses SuperTrench technology that is uniquely optimized to provide themost efficient high frequency switching performance. Both conduction andswitching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ands • VDS =85V,ID=250ARDS(ON) <2.8mΩ @ VGS=10V• Excellent gate charge x RDS(on) product• Verylow on-resistance RDS(on)• 175 °Coperating temperature• Pb-freelead plating• 100% UIS tested;	NCEPower 新洁能	NCEPower
NCEP85T25VD	文件：300 bytes Page：1 Pages	30-250V N-Channel SGT-I MOSFET	NCEPower 新洁能	NCEPower

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-220
Polarity：
N
BVDSS(V)：
85
ID(A)：
250
VTH(V)：
3.5
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
2.2
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
2.6
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
10700
QG(nC)：
142
PD(W)：
300

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