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NCE60H15AD	文件：568.42 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE60H15AD；Package：TO-263-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE60H15ADusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=150A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE60H15AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	12-200V N-Channel Trench MOSFET	NCEPowerWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE60H15AT	文件：662.38 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60H15ATusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=150A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE60H15T	文件：615.44 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60H15Tusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=150A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE60P65K	文件：0 bytes Page：0 Pages	NCE(新洁能） TO-252-2L	NCE(新洁能）上传：上海闻业电子科技有限公司	NCE(新洁能）

技术参数

Product status：
Production
Package：
TO-263
Polarity：
P
BVDSS(V)：
60
ID(A)：
150
VTH(V)：
3
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
2.8
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
4
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
8249.5
QG(nC)：
158
PD(W)：
220

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