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NCE30H15BK	文件：698.36 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE30H15BK；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE30H15BKusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=150A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
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NCE30H15B	文件：728.07 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30H15Busesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=150A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司
NCE30H15K	文件：447.92 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

技术参数

Technology：
Trench
Product status：
New
Package：
TO-252-2L
Polarity：
N
BVDSS(V)：
30
ID(A)：
150
VTH(V)：
1.6
RDS(ON)@10VTyp(mΩ)：
2.1
RDS(ON)@10VMax(mΩ)：
2.5
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)：
2.9
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)：
4
VGS(th)(V)：
±20
CISS(pF)：
5235
QG(nC)：
106
PD(W)：
130

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