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NAND04GW3B2DN6F

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX

NAND04GW3B2DN6E

4Gbit,8Gbit,2112byte/1056wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDFlashmemories

NUMONYXNUMONYX

恒忆

NUMONYX

详细参数

  • 型号:

    NAND04GW3B2DN6F

  • 功能描述:

    闪存 NAND & S.MEDIA FLASH

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 数据总线宽度:

    1 bit

  • 存储类型:

    Flash

  • 存储容量:

    2 MB

  • 结构:

    256 K x 8

  • 接口类型:

    SPI

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.3 V

  • 最大工作电流:

    15 mA

  • 工作温度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
2138+
TSOP-48
6900
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NUMONYX
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更多NAND04GW3B2DN6F供应商 更新时间2024-3-28 15:47:00