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N6003NZ-S17-AY

文件：280.47 Kbytes

Page：8 Pages

N-channel MOSFET 600V, 2A, 4.4Ω

Description TheN6003NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±2.0

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