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2STN2550

丝印:N2550;Package:SOT-223;Low voltage high performance PNP power transistors

Description The 2STF2550 and 2STN2550 are PNP transistors manufactured using new “PB-HCD” (Power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. Features ■ Very low collector-emitter sat

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N2550-5002-RB

4-Wall Header

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3M

N2550-5003-RB

4-Wall Header

文件:364.98 Kbytes 页数:5 Pages

3M

N2550-50K2-RB

4-Wall Header

文件:364.98 Kbytes 页数:5 Pages

3M

N2550-5003-RB

线对板针座

3M

N2550-6002-RB

线对板针座

3M

N2550-6003-RB

线对板针座

3M

技术参数

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    5A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    50V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):

    550mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    110 @ 2A,2V

  • 功率 - 最大值:

    1.6W

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
20+
SOT-223
120000
原装正品 可含税交易
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NK/南科功率
2025+
SOT-223
1200
国产南科平替供应大量
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ST/意法
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更多N2550供应商 更新时间2025-11-3 14:01:00