选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
|
STBGA63 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
只做原装VFBGA63 |
36520 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
|
STBGA |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
ST |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市英科美电子有限公司9年
留言
|
STMicroN/A |
6800 |
2021+ |
只有原装正品 |
|||
|
深圳市近平电子有限公司8年
留言
|
ST面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
|||
|
深圳市正纳电子有限公司11年
留言
|
ST(意法)NA |
20094 |
23+ |
|
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
STBGA |
6528 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
|||
|
中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
|
STBGA |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
|
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
|
STVFBGA-55 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
Numonyx/STMi63-VFBGA |
65480 |
23+ |
||||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Micron63VFBGA (9x11) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
|
ST/意法 |
9852 |
2046+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
STBGA |
55200 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
ST/STMicroelectronics/意法半导BGA |
789 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
|
STMVFBGA63 |
3550 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
|
深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
|
STBGA |
30000 |
22+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
STBGA |
55200 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
|
STO-NEW BGA |
25000 |
23+ |
原厂/代理渠道 价格优势 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
Micron Technology Inc.63-TFBGA |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
NAND512W3A2CZA6E采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NAND512W3A2CZA6E图片
NAND512W3A2CZA6E中文资料Alldatasheet PDF
更多NAND512W3A2CZA6E功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
产品属性
- 产品编号:
NAND512W3A2CZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
512Mb(64M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
50ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-TFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA