选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP8 |
15000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ST/意法BGA63 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法BGA63 |
9947 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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STBGA63 |
24896 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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NUMONYX原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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MicronBGA63 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Micron63VFBGA (9.5x12) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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STBGA63 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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MICRON/美光BGA63 |
1588 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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MICRONBGA63 |
10000 |
23+ |
原装正品价格特优--只做原装 |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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STBGA63 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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STMBGA63 |
1372 |
21+ |
只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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STMBGA |
2520 |
09+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NUMONYXBGA625 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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NUMONYXBGA |
86462 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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MICRONBGA63 |
6528 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NUMONYXBGA63 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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STBGA |
6852 |
1948+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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MICRON/美光BGA63 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NUMONYXBGA625 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
NAND02GR3B2DZA6E采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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NAND02GR3B2DZA6E资讯
NAND02GR3B2DZA6E天芯科技优势渠道积累-货源稳定-价格优势
深圳市天芯半导体科技有限公司0755-8272566017727837185(微信75056055)QQ:177691499
NAND02GR3B2DZA6E
型号:NAND02GR3B2DZA6E厂商:Micron封装BGA63库存:19650pcs
NAND02GR3B2DZA6E中文资料Alldatasheet PDF
更多NAND02GR3B2DZA6E功能描述:IC FLASH 2GBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
产品属性
- 产品编号:
NAND02GR3B2DZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
管件
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
2Gb(256M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
45ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
63-TFBGA
- 供应商器件封装:
63-VFBGA(9.5x12)
- 描述:
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA