| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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ST/意法FBGA |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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MICRON/美光23+ |
6517 |
21+ |
绝对进口原装现货 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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micron(镁光)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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ST/意法FBGA |
98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICRONVFBGA63 |
19387 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法BGA |
200 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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MICRON/镁光BGA |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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MICRONBGA63 |
8506 |
24+ |
美光专营只做原装正品,假一赔十 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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NUMONYXBGA |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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MICRON/美光VFBGA63 |
9500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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NumonyxBGA |
8560 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICRONVFBGA63 |
15119 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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MICRON/镁光BGA63 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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MICRONBGA |
8600 |
17+ |
MICRON专营原装进口现货 |
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深圳市盈盛科创科技有限公司9年
留言
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MICRONBGA63 |
7560 |
22+ |
全新原装正品 现货 优势供应 |
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深圳市中赛美电子科技有限公司8年
留言
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MICRON/镁光BGA63 |
3000 |
22+ |
支持任何机构检测 只做原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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STMVFBGA63 |
16180 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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NUMONYX/ST货真价实,假一罚十 |
25000 |
VFBGA63 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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ST/意法BGA |
50000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市润其电子科技有限公司1年
留言
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MICRONVFBGA63 |
15403 |
2023+ |
全新,原装 |
NAND01GR3B2CZA6E采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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NAND01GR3B2CZA6E资讯
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公司产品广泛用于工业控制、电源、UPS、家电、电脑、仪器仪表、通信网络设备、航空等行业。品种齐全，大批量的现货。
NAND01GR3B2CZA6E
NAND01GR3B2CZA6E主要参数：类别：存储器格式-存储器：闪存存储器类型闪存-：NAND存储容量：1G（128Mx8）速度：-接口：并联电压-：电源1.7V~1.95V工作温度：-40°C~85°C封装：63-TFBGA原装进口★现货正品热卖★深圳市汇景欣电子有限公司是专业的电子元器件分销商，具有良好
NAND01GR3B2CZA6E中文资料Alldatasheet PDF
更多NAND01GR3B2CZA6E功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘
产品属性
- 产品编号：
NAND01GR3B2CZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-TFBGA
- 供应商器件封装：
63-VFBGA（9.5x12）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
