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NCE6020L	文件：960.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDB6020	文件：376.54 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingNationalsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingper	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB6020	文件：306.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB6020P	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB6020P	文件：344.29 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6020	文件：376.54 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingNationalsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingper	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6020	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6020P	文件：62.15 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6020P	文件：1.73735 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDP6020P	文件：289.56 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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