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NF3060C-VQ	文件：335.43 Kbytes Page：6 Pages	3-phase3-line480VACAvailable50A-1000ALargecurrent&Highattenuation	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF3060C-VZ	文件：361.91 Kbytes Page：5 Pages	3-phase3-line500VAC	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF3060C-VZF	文件：326.46 Kbytes Page：5 Pages	3-phase3-line500VACWideband&Highattenuation	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF3060C-YXS	文件：665.03 Kbytes Page：5 Pages	3-phase3-line500VACSpacesavingBooktype	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NF3060C-YXZ	文件：686.16 Kbytes Page：5 Pages	3-phase3-line500VAC	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
NRTS3060MFS	文件：204.32 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierRectifierTrench-based,HighPerformance ThisTrenchSchottkyrectifierishighperformancedeviceinSO−8 FLpackage.Thelowerforwardvoltage,lessleakagecurrent,and smalljunctioncapacitancearesuitabletohighswitchingfrequency highdensityDCtoDCconversionapplication.Offeringhigher avalancheenergycapabilityforO	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVTS3060MFS	文件：204.91 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierRectifierTrench-based,HighPerformance ThisTrenchSchottkyrectifierishighperformancedeviceinSO−8 FLpackage.Thelowerforwardvoltage,lessleakagecurrent,and smalljunctioncapacitancearesuitabletohighswitchingfrequency highdensityDCtoDCconversionapplication.Offeringhigher avalancheenergycapabilityforO	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE3060	文件：23.81 Kbytes Page：3 Pages	0.3??SingleDigitNumericDisplay,SevenSegment,CommonCathode Description: TheNTE3056throughNTE3060are0.3inch(7.62mm)heightsingledigit,sevensegment,commoncathodedisplays.TheNTE3056andNTE3057utilizeLEDchipswhicharemadefromGaAsPonaGaAssubstrate.TheNTE3059utilizesLEDchipswhicharemadefromGaPonatransparentGaPsubstrat	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3060	文件：23.81 Kbytes Page：3 Pages	0.3SingleDigitNumericDisplay,SevenSegment,CommonCathode Description: TheNTE3056throughNTE3060are0.3inch(7.62mm)heightsingledigit,sevensegment,commoncathodedisplays.TheNTE3056andNTE3057utilizeLEDchipswhicharemadefromGaAsPonaGaAssubstrate.TheNTE3059utilizesLEDchipswhicharemadefromGaPonatransparentGaPsubstrat	NTE NTE Electronics	NTE
NVM3060	文件：577.19 Kbytes Page：13 Pages	4096-BitEEPROM [ITTSemiconductors] Introduction Electricallyerasableprogrammableread-onlymemory(EEPROM)inN-channelfloating-gatetechnologywithacapacityof512words,8bitseach. TheNVM3060isintendedforuseasareprogrammablenon-volatilememoryinconjunctionwiththeCCU2030/2050/2070/300	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
浙江永芯科技有限公司	MURB3060L	YANGJIE	24+	TO-263	50000	原厂直销全新原装正品现货欢迎选购	询价
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