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MUR10005	文件：124.64 Kbytes Page：3 Pages	100 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10005CT	文件：113.75 Kbytes Page：3 Pages	100 Amp Supre Fast Recovery Rectifier 50 to 600 Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR10005CT	文件：620.3 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFAST RECTIFIERS ULTRAFASTSWITCHMODEPOWERRECTIFIER ...designedforuseinswitchingpowersupplies,inverters,andasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ●DualDiodeConstruction ●LowLeakageCurrent ●LowForwardVoltage ●175°COperatingJunctionTemperatu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MUR10005CT	文件：138.8 Kbytes Page：2 Pages	Super Fast Recovery Diode, 100A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR10005CT	文件：196.59 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MUR10005CT	文件：403.28 Kbytes Page：2 Pages	HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR10005CT	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR10005CTR	文件：391.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Super Fast Recovery Diode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
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产品属性

产品编号：
MUR10005CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
50A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 50V 50A 2TOWER

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更多MUR1供应商更新时间2025-5-24 10:19:00

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