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MTP10N12L	文件：272.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM10N12L	文件：260.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RFM10N12	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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RFM10N12	文件：211.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
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RFP10N12	文件：211.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MTP10N12L	ON		N/A	1000		询价
深圳市华来深电子有限公司	MTP10N12L	O	23+	TO220AB	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	MTP10N12L	MOTOROLA	22+	220	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多MTP10N12供应商更新时间2024-9-22 16:00:00

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