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FDP8N50NZ	文件：333.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP8N50NZ	文件：882.62 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET500V,8A,850m Features •RDS(on)=770m(Typ.)@VGS=10V,ID=4A •LowGateCharge(Typ.14nC) •LowCrss(Typ.5pF) •100AvalancheTested •Improvedv/dtCapability •ESDImprovedCapability •RoHSCompliant Applications •LCD/LEDTV•UninterruptiblePowerSupply •Lighting•AC-DCPower	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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更多MTN8N50FP供应商更新时间2024-6-22 14:02:00

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