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MTM10N15L	文件：260.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
10N15	文件：281.88 Kbytes Page：4 Pages	10A,150V,0.3廓,N-CHANNELPOWERMOSFETS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BL10N15A	文件：349.7 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS APPLICATIONS Audio SeriesRegulator GeneralPurpose FEATURES Highcurrentcapability Highreliability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
BL10N15A-GE-B	文件：349.7 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYPOWERTRANSISTORS APPLICATIONS Audio SeriesRegulator GeneralPurpose FEATURES Highcurrentcapability Highreliability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
HM10N15D	文件：957 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
ME10N15	文件：1.00803 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP10N15	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP10N15L	文件：279.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RFM10N15	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFM10N15	文件：211.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
RFM10N15	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFP10N15	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFP10N15	文件：89.46 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFP10N15	文件：211.91 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
RFP10N15	文件：40.37 Kbytes Page：5 Pages	10A,150V,0.300Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Features ●10A,120Vand150V ●rDS(on)=0.3Ω ●SOAisPower-DissipationLimited ●NanosecondSwitchingSpeeds ●LinearTransferCharacteristics ●HighInputImpedance ●MajorityCarrierDevice	Intersil Intersil Corporation	Intersil

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MTM10N15供应商更新时间2024-9-24 15:47:00

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