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MTM10N100E	文件：260.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTV10N100E	文件：285.67 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTV10N100E	文件：269.33 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.3OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TheD3PAKpackagehasthecapabilityofhousingthelargestchipsizeofanystandard,plastic,surfacemountpowersemiconductor.Thisallowsittobeusedinapplicationsthatrequiresurfa	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTV10N100E	文件：297.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW10N100E	文件：321.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW10N100E	文件：187.89 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTW10N100E	文件：192.19 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.3OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N−ChannelEnhancement−ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTY10N100E	文件：228.65 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET10AMPERES1000VOLTSRDS(on)=1.3OHM TMOSE-FETPowerEieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
RM10N100LD	文件：418.13 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures Vos=100Vl0=10A Rosin)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MTM10N100E	MOT		N/A	1010		询价
深圳市弘为电子有限公司	MTM10N100E	MOTOROLA	16+	TO-3	1100	原装现货假一罚十	询价
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