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MTH800	文件：105.05 Kbytes Page：2 Pages	3 PHASE FULL WAVE BRIDGE RECTIFIER 3PHASEFULLWAVEBRIDGERECTIFIER(MTH200-MTH800)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MTH8N35	文件：293.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH8N40	文件：293.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH8N50E	文件：631.7 Kbytes Page：6 Pages	TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOSE-FETHighEnergyPowerFET N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET8.0AMPERESrDS(on)=.0.8OHMS500VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTH8N50E	文件：293.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH8N55	文件：386.73 Kbytes Page：5 Pages	Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulatorsconverters,solenoidandrealydrivers.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTH8N55	文件：292.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH8N60	文件：386.73 Kbytes Page：5 Pages	Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulatorsconverters,solenoidandrealydrivers.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTH8N60	文件：293.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH8N90	文件：394.83 Kbytes Page：6 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
MTH8
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
RECTFR BRIDGE SGL 800V 25A - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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